半导体存储器作为电子系统的基本组成部分，是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。存储芯片种类非常之多，大类上，依据数据是否会在断电时消失，半导体存储器被分为易失性存储器（Volatile memory）和非易失性存储器（non-volatile memory）两大类。
其中，由于读写速度更快，易失性存储器通常被用以辅助CPU工作，即“内存”；非易失性存储器则为“外存”，大多数都用在存储大量的数据文件。
在内存这个类别中，最重要的是DRAM（动态随机存取存储器），因为其常年占据全球存储类芯片市场半壁江山。综合看来，DRAM结构相对比较简单，能够拥有非常高的密度，单位体积的容量较高，成本较低。再往下，领导标准机构JEDEC（固态技术协会）将DRAM定义为标准DDR、移动DDR、图形DDR三个类别，分别对应电脑内存、手机运存、显卡显存。
与DRAM相对的是SRAM（静态随机存取存储器），两者的存储原理、结构不同，特性完全相反。除了能够应用在缓存中，SRAM一般还会用在FPGA内，不过SRAM价格昂贵，全球市场规模占比也始终较小。在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，DRAM和SRAM各有专长，可以适用不同应用场景。
在非易失性存储器领域，持续涌现新技术，目前技术成熟且拥有一定规模市场的外存共有三种：NAND Flash、NOR Flash、EEPROM。其中，市场顶级规模的是NAND Flash。
NAND Flash属于数据型闪存芯片，能轻松实现大容量存储、高写入和擦除速度，多应用于大容量数据存储。拥有SLC、MLC、TLC、QLC四种不同存储技术，依次代表每个存储单元存储的数据分别为1位、2位、3位与4位。其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同两个赛道，因为SLC技术较老但寿命、可靠性最优的。从SLC到QLC，存储密度逐步提升，单位比特（Bit）成本随之降低。但相对的，性能、功耗、可靠性与P/E循环（擦写循环次数，即寿命）会下降。
目前提升NAND Flash性能的技术路径有两个：其一，提升制程节点；其二，通过纵向叠加NAND Flash层数获取高密度和大容量，即3D NAND Flash。一般来说，SSD固态硬盘、U盘、手机闪存、SD卡均属大容量3D NAND Flash范畴。
NAND Flash和DRAM占据了全球存储市场的超九成，是最具代表性的存储产品，其行情变动具有风向标意义。
NOR Flash属于代码型闪存芯片，用来存储代码及部分数据，是终端电子科技类产品种不可或缺的重要元器件，具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。
EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器，具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等特点。
新型存储器方面，目前主要有4种，分别是：阻变存储器（ReRAM/RRAM）、相变存储器（PCRAM）、铁电存储器（FeRAM/FRAM）、磁性存储器（MRAM，第二代为STT-RAM）。据Yole统计，预计2026年新型存储器在全球市场占有率的占比将上升到3%[1]。
由于布图设计与晶圆制造的技术结合紧密，目前主流存储厂商三星、美光、SK海力士等仍采用 IDM 的经营模式。一款存储产品的上市，需要经过产业链的多个环节。首先，在晶圆制造环节，存储晶圆的设计及制造标准化程度较高，出品在容量、带宽、稳定性等方面技术规格上也趋同。不过，在应用上，计算机显示终端由于需求场景不同，在容量、带宽、时延、寿命、尺寸、性价比等方面需要的技术规格相异，因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征，部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透同时，无晶圆制造的存储器厂商/独立的存储器供应商/存储模组供应商应运而生[2]。
其中，存储晶圆厂商凭借 IDM 模式向下游存储器产品领域渗透，其竞争重心在于创新晶圆IC设计、提升晶圆制程和市场占有率，在应用领域主要聚焦通用化、标准化的存储器产品，重点服务智能手机、个人电脑及服务器等行业的头部客户。除了这些通用型存储器应用外，仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设施、家用电器、影像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场里中小客户的需求。
无晶圆制造的存储器厂商面向下游细分行业客户的具体需求，进行介质晶圆特性研究与选型、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计与制造、芯片测试等，并提供后端的技术上的支持，将标准化存储晶圆转化为千端千面的存储器产品，推动实现存储晶圆的产品化和商业化，在存储器产业链扮演承上启下的重要角色[3]。
据TrendForce集邦咨询数据，2023年第三季度，全球DRAM市场实现盈利收入134.8亿美元。其中，三星仍是全球最大的DRAM 供应商，销售额达到近52.5亿美元，占全球市场占有率的38.9%；SK海力士位列第二，DRAM 销售额为46.26亿美元，占据全球34.3%市场占有率；美光是全球第三大DRAM供应商，销售额为30.75亿美元，全球占比22.8%。DRAM赛道的头三位玩家吃掉了全球DRAM市场96%的份额。
在国产存储芯片的细致划分领域中，DRAM是最需要攻坚的一环。目前，在DRAM赛道上，有相应产品的国产芯企包括长/鑫存储、紫光国芯、福建晋华、东芯半导体、北京君正。
中国DRAM技术与国外企业相比，大致落后5-6年，且技术差距还在扩大之中。目前国产存储厂商的DRAM产品尚处于DDR4时代，而三星、SK海力士、美光在近两年都相继宣布DDR5 DRAM开发成功。
与DRAM相比，SRAM市场规模极小。据新思界产业研究中心发布的《2022-2027年中国SRAM（静态随机存取存储器）行业市场深度调研及发展前途预测报告》显示，2021年，全球SRAM市场规模约为4亿美元。2022年，北京君正的SRAM产品收入在全球市场中位居第二位。据悉，北京君正拥有的SRAM 产品品类丰富，从传统的 Synch SRAM、Asynch SRAM 产品到行业前沿的高速 QDR SRAM 产品均拥有自主研发的知识产权。
据TrendForce集邦咨询数据，2023年第三季度，全球NAND Flash市场实现盈利收入约92.29亿美元。其中，排名前三的分别是三星、SK海力士和西部数据，分别占据全球NaND Flash市场31.4%、20.2%和16.9%的份额。另外，铠侠和美光分别占据14.5%和12.5%的市场占有率，位列第四和第五。相较DRAM，NAND Flash的市场集中度没那么高，前三的存储厂商占据68.5%市场占有率，前五的存储厂商占据96%的市场份额。
技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断的提高NAND Flash存储密度。三星电子 2013年率先开发出可商业应用的24层3D NAND，2022年，各大NAND Flash厂商竞相将3D堆叠的层数推到200层以上。其中，SK海力士在2022年8月宣布成功研发了238层NAND闪存；2022年11月，三星宣布慢慢的开始大规模生产其236层3D NAND 闪存芯片，也就是第8V-NAND。2022年12月，美光宣布232层NAND客户端SSD正式出货。
在NAND Flash赛道，长/江存储是国内鲜有的可与国际厂商同台竞技的企业。据悉，其于2018年发布其研发的3D NAND独家技术Xtacking，随后分别于2018年和2019年第三季度分别实现32层和64层3D NAND 量产，并在2020年推出128层QLC 3D NAND 闪存。截至2020年末长/江存储取得全球接近1%市场占有率，成为五大国际原厂以外市场占有率最大的NAND Flash晶圆原厂。不过，由于众所周知的原因，目前发展充满挑战。
目前，占据全球存储市场九成以上份额的DRAM和NAND Flash赛道，都呈现高度垄断且相对来说比较稳定的局面，早已入局的巨头竖起重重高墙，后发者难以取得突破。
不过，在大厂基本退出的中小容量EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash领域，国内存储厂商呈现出“做大做强”之势。在EEPROM领域，赛迪顾问数据统计显示，2019年，国内存储企业聚辰半导体拿下EEPROM全球市场的9.9%份额，占比排名第三，仅次于意法半导体（31%）和微芯科技（22.1%）。
聚辰半导体在2022年年报中表示，在工业级EEPROM领域，目前公司已在智能手机摄像头、液晶面板、计算机及周边等细致划分领域奠定了一马当先的优势；在汽车级EEPROM领域，公司整体规模和市场占有率目前与国际竞争对手尚存在一定差距。在NOR Flash领域，兆易创新是全球排名第三的NOR Flash公司，全球市场占有率超过20%，产品覆盖消费、工业、汽车等领域。此外，兆易创新表示，致力于成为具有全系列 NOR Flash 产品的领导厂商，2023年，公司NOR Flash产品将继续推进新工艺制程迭代，助力大容量产品竞争力逐步提升。在SLC NAND Flash领域，IT研究与顾问咨询公司Gartner数据表示，2021年SLC NAND 全球市场规模为21.37亿美元。目前，铠侠、华邦电子、旺宏电子等企业在该领域占据较高的市场占有率。国内在该领域发力的存储企业包括东芯半导体、兆易创新、复旦微电等。
2022年，存储芯片市场转向周期下行。据闪存市场多个方面数据显示，2021年，全球存储芯片市场销售规模为1629亿美元，同比增长31%；2022年，全球存储器市场规模下降15%，结束了连续两年的上涨，其中NAND Flash市场规模大概是600亿美元，DRAM市场规模约为790亿美元。从全球市场总生产量来看，2022年全球NAND总生产量达到6100亿GB当量，DRAM则约为1900亿GB当量，涨幅分别是6%和2%，创历史新低。
2023年则延续2022年的市场跌势。2023年第一季度，NAND市场极其疲弱的状况仍然持续，需求疲软以及供应商与OEM存货居高不下，导致bit出货量和平均售价下滑。因多家供应商的平均售价一下子就下降以及存货减记，所有NAND供应商在2023年第一季度都出现运营亏损[4]。
为了减缓跌价趋势，2023年存储原厂继续加大减产力度。其中，美光6月底逐步扩大DRAM和NAND减产幅度至近三成；SK海力士7月底再将NAND Flash减产幅度下修5~10%；三星电子也于去年四月宣布加入减产行列，表示“正在大幅度降低存储芯片的产量”。
转入2023年四季度，存储市场陆续有部分产品报价拉涨的消息传来，闪存市场报价也连续数周显示部分产品尤其NAND行情升温，涨价行情甚至从NAND蔓延至DRAM。不过，闪存市场分析表示，此轮涨价行情乃基于供应端减产涨价所致，终端的实际的需求仍不够清晰，在终端需求明显回暖前，市况会受备货动作的影响呈忽冷忽热的波动。不过存储已确定进入复苏周期，预计会在持续博弈中走出行情低谷。
从长期来看，随着第四季度库存持续出清，供需关系取得改善，存储芯片市场有望逐步复苏。此外，新能源汽车、物联网、可穿戴设备、云计算、大数据和安防电子等新兴领域的技术发展将持续引领市场增长。目前，应用方面，智能手机、个人电脑、服务器市场虽然在下滑，但依旧是三大主力应用。其中，数据中心已成为存储器的必争之地，2020年~2025年全球数据量保持20%的年复合增长率，其中企业级eSSD为9%，而数据中心利用率将从2020年的20%提升至55%。
同时，在汽车智能化升级、算力演进提升下，一直增长的数据量要求汽车存储芯片具有更快的数据处理速度、更大的数据存储量，这将推动汽车成为存储未来增长最快的市场之一，预计汽车存储市场规模到2030年将超过200亿美元。
这些应用领域及终端产品的加快速度进行发展将进一步带动存储芯片需求的持续不断的增加，广阔的新兴市场为行业带来新的发展契机。Yole表示，半导体存储市场有望卷土重来，预计到2025 年将实现2000亿美元收入[4]。
此外，值得一提的是，去年以来，生成式人工智能的浪潮席卷全球，带动AI芯片需求大涨同时，面向AI服务器的存储器需求和AI存储芯片需求也跟着水涨船高。其中，SK海力士得益于2023年第四季度DDR5 DRAM和HBM3的销售额分别比上年同期增长了4倍和5倍以上，结束了持续一年的营业亏损，实现当季盈利扭亏为盈。对于存储产业来说，这也是复苏的有力信号。
展望2024年市场行情，TrendForce集邦咨询认为在市场需求展望仍保守的前提下，DRAM和NAND Flash产品的价格****均取决于供应商产能利用率情况。其中，对于第一季价格趋势，TrendForce集邦咨询预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND Flash则是18-23%。
深圳康盈半导体科技有限公司系康佳集团旗下子公司，是集团半导体产业的重要组成部分。公司专注于嵌入式存储芯片、模组、移动存储等产品的研发、设计和销售。基本的产品涵盖eMMC、eMMC工业级、Small PKG. eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、内存条等。大范围的应用于智能终端、智能穿戴、智能家居、物联网、网络通信、工控设备、车载电子、智慧医疗等领域。
最高容量32GB，且性能优异，数据读取速度高达280MB/s，写入速度高达150MB/s，满足终端小体积、大容量、高性能应用需求。采用高性能闪存，保障系统操作的流畅性稳定性。智能省电模式，有效提升终端设备续航能力，助力智能手环、智能手表、智能耳机等终端应用微型化、低功耗设计。
KOWIN ePOP嵌入式存储芯片，集成eMMC和LPDDR，采用在主芯片上（package on package）贴片的封装方式，节省PCB占用空间，进一步精简产品尺寸。目前容量组合有8GB+8Gb、16GB+8Gb、32GB+8Gb、32GB+16Gb，最小厚度仅有0.8mm，并搭配低功耗模式，有效提升终端设备的续航能力。其中，NAND Flash采用高性能闪存芯片，顺序读取速度最高可达290MB/s，顺序写入速度最高可达200MB/s，DRAM速率最高可达4266Mbps。将性能、耐用性、稳定性的平衡得恰到好处，实现1+1大于2的效果。
ePOP满足设备对于储存及缓存数据需求，面对集成度较高的设备，均能轻松面对，更适用于智能穿戴、教育电子等对小型化、低功耗有更加高的要求的终端应用。
智慧物联核芯小精灵—KOWIN nMCP嵌入式存储芯片，使用先进的生产设备和领先的晶圆封测技术，包括晶圆研磨，叠层和引线键合技术等，极大程度地降低了存储芯片的厚度，最小厚度仅为0.8mm。该系列芯片集成了 SLC NAND 和 LPDDR4X，可减少系统 PCB 设计开发时间。容量组合包括 4Gb+2Gb、4Gb+4Gb和8Gb+4Gb , 满足多种容量组合需求。该系列芯片中NAND电压1.8V，DRAM电压为1.8V/1.1V/0.6V，符合低功耗产品质量标准，可兼容各大主流平台。LPDDR4X传输速率高达3,733Mbps，性能优异，提高系统运行的流畅性。产品均通过严格的可靠性测试，有效保障数据信息安全和持久性，可满足产品的100,000次寿命擦除和10年数据保持能力要求。同时nMCP系列芯片具有体积小、功耗低、速度快、低延时、寿命长等诸多优点，大范围的应用于物联网模块、通信模块等领域。
深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称“江波龙”）成立于1999年，主营业务为半导体存储应用产品的研发、设计与销售。江波龙主要聚焦于存储产品和应用，形成固件算法开发、存储芯片测试、封测设计与制造、存储芯片设计等核心竞争力，为市场提供消费级、车规级、工规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。
江波龙已形成嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、移动存储及内存条四大产品线，拥有行业类存储品牌FORESEE和国际高端消费类存储品牌Lexar（雷克沙）。存储器产品大范围的应用于智能手机、智能电视、平板电脑、计算机、通信设施、可穿戴设备、物联网、安防监控、工业控制、汽车电子等行业及个人移动存储等领域。
FORESEE推出的中国大陆首款车规级UFS，涵盖64GB/128GB两个主流容量，工作时候的温度为-40℃～105℃（Grade2），并通过AEC-Q100可靠性标准。FORESEE 车规级UFS采用原厂车规级资源和高品质器件，配合江波龙自研固件算法，以及严苛的可靠性标准验证测试，能够有效确定保证产品在-40℃~105℃的高低温下长期、稳定、可靠运行的同时，保障数据安全。
深圳佰维存储科技股份有限公司（以下简称“佰维存储”）成立于2010年，专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业。
佰维存储围绕半导体存储器产业链，构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片IC设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域。
GP303选用工业级主控IC和工业级NAND，采用优化升级的硬件设计的具体方案、先进的闪存管理固件算法，历经3000余项测试用例，并结合佰维存储先进制造能力，产品兼具高可靠、长寿命、稳定性很高等特点，非常适合于高低温、异常断电、潮湿、震动和冲击等恶劣环境下的系统运行、数据保存等应用场景。
佰维LPDDR4X工业级宽温存储芯片采用高品质DRAM颗粒，采用超薄先进封装，在提供超快速度的同时，能够加快多任务处理速度并优化使用者真实的体验，结合业内先进的测试机台保证了每颗产品都经历严苛的测试；结合佰维存储先进制造测试能力，产品兼具高可靠、高性能、高耐用、长寿命等特点，容量覆盖从2GB~8GB，主要面向工业类细分市场，宽温工作上的能力达-40~85℃。
深圳市宏旺微电子有限公司成立于2004年，是一家专注于存储芯片（国家战略产业）设计、研发、封装、测试、销售服务的国家高新技术企业。拥有多项自主知识产权，致力为全球客户提供FLASH和DRAM相关存储产品，如嵌入式存储(eMMC、eMCP、LPDDR、SPI NAND）等，总部在深圳南山华侨城，在中国香港、韩国、美国、新加坡等地设有办事机构。
全资子公司诺思特半导于汕尾陆丰市，依托宏旺技术积累和研发能力，提供存储芯片封装、测试、产品制造一站式服务。
该产品体积小、轻薄，最大可存储512×16的数据。低能耗、高效能，无论使用智能终端游戏、办公、还是基于数据存储的海量数据，都能减少发热引起的降频现象。具备3200Mbps的工作频率，能够以出色的速度传输数据，更高的数据带宽，更快、更轻松处理大量工作负载。具有内纠错码（ECC）功能，提高了数据可靠性并减少了系统纠错负担，存储更靠谱。
上海复旦微电子集团股份有限公司（以下简称“复旦微电”）是国内从事超大规模集成电路的设计、开发、生产（测试）和提供系统解决方案的专业公司。公司于1998年7月创办，并于2000年在中国香港上市，2014年转香港主板，是国内成立最早、首家上市的股份制集成电路设计企业。2021年登陆上交所科创板，形成“A+H”资本格局。
复旦微电现已建立健全安全与识别芯片、非挥发存储器、智能电表芯片、FPGA芯片和集成电路测试服务等产品线多个国家和地区，大范围的应用于金融、社保、汽车电子、城市公共交通、电子证照、移动支付、防伪溯源、智能手机、安防监控、工业控制、信号处理、智能计算等众多领域。
产品基于28nm先进NAND flash工艺，通过优化编擦、擦除、回读算法， 满足6-8万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。
东芯半导体股份有限公司（以下简称“东芯半导体”）成立于2014年，总部在上海，在深圳、南京、中国香港、韩国均设有分公司或子公司。
作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。
东芯半导体聚焦平面型 SLC NAND Flash的设计与研发，基本的产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖 512Mb 至 32Gb，可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口，搭配 3.3V/1.8V两种电压，可实现用户在不同应用领域及应用场景的需求。NAND Flash 产品核心技术优势显著，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内。同时产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已超越 10 万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年，已有产品通过AEC-Q100测试，可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。
聚辰半导体股份有限公司（以下简称“聚辰半导体”）于2009年成立于上海张江，2019年登陆上交所科创板，是一家全球化的芯片设计高新技术企业，在美国硅谷、中国香港、中国台湾、深圳、南京、苏州等地区设有子公司、办事处或销售机构，客户遍布全球。
聚辰半导体曾获评2020年十大中国IC设计公司、2021年度上海市经信委“专精特新”企业、2022年度国家级专精特新“小巨人”企业，并被国家发改委、工信部列入国家鼓励的重点集成电路设计企业清单。
GT25Q40D是聚辰半导体基于独具特色的NORD工艺平台开发的具有自主知识产权的NOR Flash芯片，具备高可靠性和快速擦除性能，大范围的应用于PC CAM、USB-TypeC、高端WIFI BLE 模组及新能源汽车BMS等领域，在功耗、数据传输速度、LU、ESD等关键性能指标方面达到国际前沿水平。
GT25D20E是聚辰半导体基于独具特色的NORD工艺平台开发的具有自主知识产权的NOR Flash芯片，支持DUAL SPI接口，大范围的应用于车载摄像头、BLE蓝牙物联网设备等领域，在功耗、数据传输速度、LU、ESD等关键性能指标方面达到国际前沿水平。
普冉半导体（上海）股份有限公司（以下简称“普冉半导体”）是业内排名前列的存储器芯片及其衍生芯片供应商。自2016年成立以来，普冉半导体一直专注于非易失性存储器芯片的研发创新，形成了以NOR Flash和EEPROM为核心的存储器芯片产品矩阵，并基于存储器技术优势，推出“存储+”规划和长期战略，积极拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线。
P25Q32SN是业界首家1.1V 6.5uW/Mbit新一代领先工艺、超低电压超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存储器芯片。P25Q32SN支持1.1V电源系统，具备宽电压范围1.05V~2.00V，可涵盖1.1V、1.2V和1.8V AIOT系统；超低功耗，1.1V 80M STR 4IO 读取功耗约2.86mW，80M DTR 4IO读取功率约4.2mW；基于极低功耗，为音频、图像等多模态SoC智能主控芯片提供必要性存储辅助，助力元宇宙的国产生态链完善。
恒烁半导体(合肥)股份有限公司是专注先进半导体闪存芯片 (NOR Flash) 和微处理器 (MCU)工艺研发、芯片设计和产品销售的高新技术企业，于2022年8月在上交所科创板上市。公司在合肥、苏州和上海设有研发中心，在深圳等城市设有销售及技术上的支持服务中心。销售经营渠道遍布中国（含中国香港、中国台湾）、韩国、日本、以色列、中东等国家和地区。
恒烁5Xnm NOR Flash实现对1.65V-2V低电压、2.3V-3.6V高电压、1.65V-3.6V宽电压全覆盖，具有更加好的高温性能（支持105℃），超快的读取频率（最高单线线Mhz），支持OTP及擦除过程挂起功能，能更好的满足客户要，已在手机、智能穿戴、电视机、智能电表、安防产品等下游终端获得广泛应用，截至目前，已累计出货数十亿颗。
合肥大唐存储科技有限公司（简称“大唐存储”），长期致力于存储控制器芯片及安全固件的研发，并提供技术先进的安全存储解决方案，同时，大唐存储拥有自主IC设计能力和底层固件研发能力，可按照每个用户不同的行业需求来做差异化定制服务。
产品上，大唐存储核心主控在存储行业国际首家通过EAL5+，首家通过国密芯片二级，首家通过金融存储芯片增强级检测。产品分为企业级、商业级和安全加密级固态硬盘，可应用于政务、金融、电信、能源、交通、医疗等行业领域。
DSS510芯片，采用28nm工艺制程，4核12通道、支持SATA和PCIe3.0接口，支持国密算法SM2/SM3/SM4；结合大唐存储自研超聚合安全存储技术，将金融级安全防护技术应用于固态存储控制器，实现多芯片合一，在加解密过程中不影响主控性能，使相关这类的产品综合性能大幅度的提高。在存储行业国际首家通过EAL5+，获国密二级、金融增强级芯片检测，产品获得自主原创设计证书，性能可达到国际大厂水平。
北京忆芯科技有限公司为国内较早从事高性能固态硬盘主控芯片研发的企业，致力于成为赋能大数据应用的芯片全球领导者。经过 8 年的发展，已成长为国内领先的高端 PCle SSD主控芯片和成品盘供应商，业务方向覆盖消费级、工业级和企业级，为各行业的信息化发展提供高质量芯片级底层保障。目前已成功完成4款SSD 主控芯片的流片，并通过百万量级的市场出货验证，得到了众多大厂客户的充分认可。
STAR2000E是忆芯科技自研的PCle4.0高性能企业级固态硬盘，搭载忆芯STAR2000新一代PCle4.0高端企业级SSD主控芯片。支持Gen4.0*4或双端 Gen4.0*2接口，支持NVMe2.0协议，支持ZNS/NVMe Set/KV等先进企业级功能。提供强大稳态顺序读写和随机读写性能，具有业界领先的忆芯第4代LDPC纠错算法，支持3DWPD和1DWPD的耐久性，保证数据可靠性。主要面向数据中心、存储服务器、云计算等市场，为企业级高性能应用和功耗控制需求提供超高能效比。
芯盛智能科技有限公司是领先的固态存储控制器芯片及解决方案提供商。公司以自主知识产权为根基，推出全球首款基于RISC-V架构的PCle4.0控制器、根据商密一级安全标准设计的PCle3.0控制器、企业级SATA3.0控制器及数十款固态存储解决方案，产品覆盖数据中心、边缘计算、工业控制、消费类终端和汽车存储等领域。凭借雄厚的研发技术实力与丰富的行业经验积累，芯盛智能承担了多项省、市、区科研项目，形成多项拥有自主知识产权的关键核心技术，被评为高新技术企业、专精特新企业和年度质量信用A级企业。
XT8210采用RISC-V开源架构体系，前端具备PCle4.0×4高速接口，后端采用8通道闪存接口，支持NVMe1.4传输协议，顺序读写可达7000/6000MBps，4K随机读写可达1000K/900K IOPS，全面适配3D TLC和3D QLC颗粒，最大可支持16TB容量；XT8210是国内第一款加码安全的PCle4.0控制器芯片，通过商密二级认证，支持4K LDPC、RAID+、E2E、RAM ECC等，性能业界领先，因其出色的性能，已被应用到数据中心、高性能桌面机等场景中，得到用户的一致好评。
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